Inžinieri IBM a Samsung vytvárajú vertikálne VTFET, ktoré môžu zvýšiť výkon alebo znížiť spotrebu energie

Na nedávno konanej konferencii IDEM v americkom San Franciscu zástupcovia spoločností IBM a Samsung predstavili verejnosti svoj nový vývoj, z ktorého vyplýva vertikálne usporiadanie tranzistorov v lupienky.

Táto technológia sa nazýva Vertical Transport Field Effect Transistor (VTFET), čo ju umožňuje alebo výrazne zvyšuje výkon, alebo výrazne znížiť spotrebu energie čipu v porovnaní s bežnými mikroobvodmi toho istého veľkosť.

Nový vývoj a jeho perspektívy

Ako viete, pri vytváraní moderných procesorov a čipov sa tranzistory nanášajú na silikónovú podložku v horizontálnej rovine. Technológia VTFET predpokladá ich vertikálne umiestnenie. A podľa samotných vývojárov má tento prístup hneď dve významné výhody.

Takže vďaka použitiu VTFET je možné obísť mnohé z existujúcich obmedzení v dôsledku pôsobenia Moorovho zákona.

Pre referenciu. Podľa Moorovho zákona sa celkový počet tranzistorov, ktoré sú umiestnené na čipe integrovaného obvodu, zdvojnásobí každé dva roky.

A tiež vďaka použitiu novej konštrukcie možno výrazne znížiť elektrické straty využitím efektívnejšieho presmerovania toku energie.

Takže podľa výpočtov špecialistov tento prístup umožní vytvoriť nové čipy, ktoré budú alebo aspoň dvakrát väčšie efektívne existujúce analógy alebo spotrebujú o 85 % menej energie ako analógy, ktoré sa vyvíjajú pomocou tejto technológie FinFET.

Odborníci sa domnievajú, že čipy vyrobené technológiou VTFET umožnia v budúcnosti vyrábať napríklad mobilné telefóny, ktoré budú fungovať na jedno nabitie batérie až jeden týždeň a/alebo jednoducho vykonávať energeticky náročné operácie, napríklad vykonávať kryptomináciu so zníženou spotrebou energie.

Zatiaľ nie je známe, kedy sa takéto čipy naplno využijú v moderných elektronických zariadeniach. Vývoj tejto technológie teda budeme sledovať aj v budúcnosti.

Ak sa vám materiál páčil, nezabudnite sa prihlásiť na odber kanála a ďakujem za vašu pozornosť!